マッスルメモリーに忖度しながら40%キーマップを組む (おまけ)
この記事は「マッスルメモリーに忖度しながら40%キーマップを組む」というログのおまけです
こちらを読んでいただけたら幸いです。
本編で組んだキーマップ
このようになりました
復習すると、このキーマップを完成させるのに適用したルールは
- MOレイヤー2つ以外の拡張機能を使わない
- ANSI配列のアルファベット, 数字, 記号を打つ時と同じ指(位置感覚)で押せるようにする
- 矢印やFキーなどはこのルールから除外(ブラインドタッチに頼りずらい為)
でした。
筆者が使っているCorneのキーマップ
この記事は 筆者がこのルールに従って実際に組んで使っているcorneのキーマップを紹介します
本編との相違点や
どんな最適化をしたのかを説明しようと思います
ではいきます
ベースレイヤー
ベースレイヤーの本編との相違点は一つだけ
SpaceとMOの位置関係が内外で逆になっているだけです
手が小さいので
力を抜いた時に親指が来る位置は真ん中のキーでした
数字
これが筆者のLayer1です
数字と記号はどちらも本編と異なります
ここでは数字について説明します
一言で言えば
6を普段左手で押すので
5の下、Gの位置に置きます
これはタイパーのセオリーからすれば間違いです
しかしやはり手が小さく
あとANSI配列の数字列は大きく左にずれていますよね
なので、これが本当の筆者のマッスルメモリー
つまりタイピングの用語で言う方の「最適化」であり
記号を置きたいからポリシーを無視したわけではないです
でも実際 記号を置きやすくする効果もあって一石二鳥なんです
記号
Layer1を再掲しつつLayer2をお見せします
1行目に記号を2つ置けるようになった効果で、-と=をANSIと全く同じように置いているのが本編との相違点です。
筆者はこれらを薬指で押します もちろん、ANSIでも薬指で押します
ポリシーが達成されています
ただ、本当に一つだけポリシーを無視したのはバックスラッシュです
レイヤーを押しつつスラッシュ
とんちで覚えることにしました
言うても小指のままなので意外と行けたのだと思われます
(訂正:Layer2に普通のスラッシュがあるのはミスです。)
必要に応じてポリシーを無視しましょう
一応 Fキーの配置も異なっているので見てみて下さい
Layer3について
さて、VIAを使ったキーマップでは、Layer3までをサポートしています
ここで一つお勧めなのが「MO1とMO2の同時押しによるLayer3移行」です
Layer1とLayer2の親指のところを見るとわかると思います
これも正直独創性とかなくて たぶんPlanckが元ネタ?ですが
自作キーボード手を出したばっかりだよという方は知らないテクかもわかりません
これはやったほうが幸せになれます
Layer3でできること
- 間違って触りたくないキー
- CapsLock
- LED
- 無線接続設定
- EEPROMリセット
- 特殊な配列を試したいとき
- Dvorakとか
後者の用途では MOの代わりにDFレイヤーを使います
常時そのLayerで固定できるようになります
しかし戻ってくるための別のDFが無いと USB引っこ抜くまで戻ってこれませんので注意
筆者のLayer3は基本的にCapsLockのみ
散らばってるのはDJMAXっていうゲーム向けに割り当ててみたものです
このCorneは、トラボ、LED、みたいに設定キーが必要な部品は無いのでシンプルです
まとめ
この記事で割と言いたいのは
本編記事で組んだとおりに絶対に従えということではないということです
覚えれればなんでもいいんですけど
スムーズに打てればなんでもいいんですけど
それが楽にできるにはどうする?
やっぱり正解が決まっているわけじゃないけど
ちょっとマッスルメモリーに忖度してみて下さい
思っているほど40%は複雑じゃありません。
コンボ? tap/hold? 1行12キーはあれば必要ないですよ。
ここまで読んでくださり、本当に有難うございました🙇
もう自キ2,3年いじってるけど
30% まじ無理~
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